Hjälp på 1.8V-5.5V 1MHz-20MHz kristall oscillator design

  • Thread starter hung_wai_ming@hotmail.com
  • Start date
H

hung_wai_ming@hotmail.com

Guest
Hej
Jag behöver lite hjälp från kristall expert.
Jag utforma ovannämnda kristall och jag 5V enhet
Jag använde enkla inverter med feedback motstånd på cirka 800K
och jag kan få vinna hela frekvensområde på spänning> 2.5V
Bara under 2.5V, jag hittade vinsten sjunker till <0dB på 20MHz.
Jag försökte öka inverter gm genom att öka storleken successivt ett stort antal, men fortfarande ingen hjälp.Varje inneboende anledningen kan jag bara göra det?

Jag tyckte att GM (kritiska) = Rm x w2 x C1 x C2 och jag tror att GM (kritiska) krävs mycket mer för 20MHz dock genom att öka gm, utseende resultaten är inte bra.

 
Ochrona danych jest kluczowa z punktu widzenia systemów bezpieczeństwa w chmurze. Steve Pataky z firmy FireEye wyjaśnia pomysły technologiczne firmy na najbardziej aktualne zagrożenia w wirtualnym świecie.

Read more...
 
du använde 5v enheten verkar det när vdd <(Vtn Vtp), P & N transitor i din förstärkare kommer går till svag region, så Gm sjönk snabbt.
mabye du kan ersätta din förstärkare som ström NCH, det kan fungera i lägre matningsspänning (Vtn Vdsp) än invertor, och det har mer stabil vinst under 1.8 ~ 5.5v.

ett annat sätt, om möjligt, kan du prova 1.5V enheten.

lycka till!

 
eller så kan du försöka med ett enda transcondutance enheten instend av en CMOS inverter

 
Jag har provat den enda NMOS gm steget med ström belastning och försökt att snedvrida NMOS med annan spänning genom storlekssortering förhållandet NMOS och pågående lastning, men resultaten var inte bra, men det ser lite bättre än inverter bygger.

Några fler idéer?

 
bara Güssing utan analytiska data,
Försök motstånd>> 800K,
kanske några MOhm.

 
hi hängas upp, jag tror att transconductance är inte stort nog till så låga voltage.You bör använda större W, och samtidigt använda större L. försök igen.

 
hung_wai_ming (at) hotmail.com wrote:

Jag har provat den enda NMOS gm steget med ström belastning och försökt att snedvrida NMOS med annan spänning genom storlekssortering förhållandet NMOS och pågående lastning, men resultaten var inte bra, men det ser lite bättre än inverter bygger.Några fler idéer?
 
Hej smörfisk

Do u tycker att det
är möjligt att använda inverter baserade krets först?

 
hung_wai_ming (at) hotmail.com wrote:

Hej smörfiskDo u tycker att det är möjligt att använda inverter baserade krets först?
 
Hej smörfisk,

Jag ersättas 3.3V krydda modellen och göra simuleringar.Ingenting har ändrats.Den XOSC kan svänga vid 1.8V med vinst> 1.
Jag kollade upp och såg att det Vt är ca 0.6-0.8V för NMOS / PMOS.För 5V är det 0.8-0.9V, ungefär 0.2V högre.Om vi bias invertern använder 1.8V VCC, sedan bias för 1.8V är cirka 0,9 och ser ut så här kan inte slå på inverter effektivt om jag använde 5V enhet.Istället, om jag använder 3.3V enhet, det finns mer utrymme för detta.

Även om du använder 5V enhet, jag tror fortfarande att öka W / L kan hjälpa men i simulering är det inte, jag tvivlar på att det är kryddan modell som orsakade detta problem.

Hursomhelst, jag tror för en normal situation, jag skulle kunna få XOSC svänga även under 5V enhet.

 
Hej, hung_wai_ming,

Genom teorin öka W / L kan uppfylla 1.8V fall, men vid 5.5v (at) 1MHz, vinsten kanske för mycket, var försiktig.

lycka till!

 
http://www.edaboard.com/ftopic236947.html
Som jag har sagt, gm har två begränsningar: uplimitation och downlimitation.om xosc vill svänga, GM måste mellan dem.Att öka värdet av feedback motstånd kommer att öka spannet av dessa begränsningar.

 
Hej smörfisk,

Tack för ditt intresse.Definitivt kommer jag att ta hand om det under min simulering.

Hej xusoso,
Bara vill veta hur du får gm i din simulering?

 
hi hängas upp,
Jag får gm med den metod som beskrivs i följande papper
h ** p: / / www.nxp.com/acrobat_download/applicationnotes/AN97090_1.pdf

 
You must log in or register to reply here.

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top