hjälpa mig för konstruktion klass E effektförstärkare

[Rezaee]

hej
Jag har skapat en klass E slutsteg och jag simulera det i ADS, använde jag buntas i stället för att capasitors och induktorer och jag använder CMOS-transistor från TSMC0.18um designkit och jag ser bra resultat men när jag ersätta induktorer och kondensatorer med TSMC0. 18um spiral induktorer och mim-kondensatorer mitt resultat är väldigt dåligt nu Jag vet inte vad jag gör?behag hjälpa mig med ur förslag vad är fel?

Hälsningar

 

[dick_freebird]

Jag skulle gissa att de olika parasitkomponenter är de-Q-Ing den
tuned circuitry, möjligen också beskatta köra på det.Medveten
av polariteter, körning bottenplattan och ta ditt "input"
från taket,
hjälp oavsett anständigt isolering strukturer som du kan ha
tillgängliga under den induktorer & kepsar, sånt.

Om du behövde induktortyp Q bättre än 10 eller så kan du
i fel processen.Jag tycker det är onormalt att se Q> 20
utom på vissa SOI (eller semi-isolerande substrat).

Du kanske tycker att det är lärorikt att sätta upp ideal vs PDK L, C element
vissa testbenches och titta på de levererade vs ideal
frequency & transient response, driven idealiskt och praktiskt.
Kanske finns det något att se.

 

[Rezaee]

tack
ja du talar sanning, Q i spiral drossel i TSMC0.18um är mindre än 20, men jag ser i IEEE papper att de har använt sub-micron processer samma TSMC och UMC eller andra och de når goda resultat (till exempel de når nära 60% PAE)
Men vad är det skäl att när jag ersätta en del till exempel induktor i min tank-krets med TSMC0.18um spiral induktor vs ideal ADS induktor (från klumpas delar biblioteket) mitt resultat vara mycket dålig.Vad kan jag göra?

Hälsningar