Vad är strömläckaget halvledarmaterial?

I

icecream

Guest
Hej, kan någon förklara mig, vad strömläckaget halvledarkomponenter?
(Jag menar läckström i bulk av material)
Och även jag behöver veta, om det är sannolikheten för läckström inducerad av temperatur.

Tack!
Senast redigerad av glass den 11 maj 2006 14:42, redigerad 2 gånger totalt

 
Eksperci z firmy antywirusowej ESET poddali analizie zagrożenie, które włamuje się do popularnych routerów i zmienia ich ustawienia. W konsekwencji próba połączenia użytkownika routera z serwisem Facebook lub wyszukiwarką Google może skończyć się zainfekowaniem maszyny zagrożeniem Win32/Sality, które zamieni komputer w zombie.

Read more...
 
Jag tror att läckström är den nuvarande genomgår isolator eftersom de har en induktans, inducerad ström i block, ramar.Detta är anledningen till utrustningen måste vara jordade.
-----------------------------------------
www.scienceprog.com-vetenskapliga, inbäddade, biomedicin, elektronik innehåll.

 
Mindaugasu skrev:

Jag tror att läckström är den nuvarande genomgår isolator eftersom de har en induktans, inducerad ström i block, ramar.
Detta är anledningen till utrustningen måste vara jordade.
 
läckström är okontrollerat ( "parasiterande") ström i hela region (er) av halvledar struktur / enhet där ingen aktuell borde flyta, t.ex. ström som flyter över grinden oxid MOS strukturen.

 
ström bcoz minoritetsgrupper bärare kallas som Leake ström är värst bidrag av temperatur

 
Det är en viktig faktor om ditt system har begränsningar strömförbrukning.viktigast av allt, har bärbara enheter dessa krav.varje enhet som behöver ett batteri faktiskt.strömläckaget måste sänkas för de viktigaste processorn IC som används på ett bärbart system.

 
Hi dear,

Inom elektronik, är läckage ett oönskat ofullkomlighet vissa dielektriska material som används i kondensatorer, även känd som dielektriska läckage.Det är ett resultat av det dielektriska materialet inte är en perfekt isolator och därför ger en läckström rinna sakta urladdning kondensatorn.I halvledarkomponenter, är läckage ett stort fenomen där rörliga laddningsbärare (elektroner eller hål) tunnel genom ett isolerande region.Läckage ökar exponentiellt med tjockleken på isolerande regionen minskar.Tunneling läckage kan också förekomma på halvledare korsningar mellan starkt dopade P-typ och N-typ semicondutors.Än tunneldrivning genom grinden isolatorn eller korsningar, kan transportföretag läcka också mellan källa och terminaler avtappning av ett Metal Oxide Semiconductor (MOS) transistor.Detta kallas deltrösklar läckage.Den främsta källan till läckage inne transistorer, men elektroner kan också läcka mellan anslutningarna.Läckage ökar energiförbrukningen och om det är tillräckligt stort kan orsaka komplett styrkretsen.

Läckage är idag en av de viktigaste faktorerna som begränsar ökad prestanda datorns processor.Ansträngningarna för att minimera läckage innefatta användning av ansträngda kisel, hög dielektriska k, och / eller starkare dopant nivåer i halvledare.Läckage minskningen fortsätter att Moores lag kommer inte bara att kräva nya material lösningar utan också lämpligt system design.

 
Är den teknik som bygger på GaAs bättre än på Si vid läckström?

 
Hej,

Tänk Si är bättre än GaAs sedan Si processen och modeller är mycket bättre än om någon annan halvledarteknik / material.

Si så jag skulle säga.

hälsningar,

Paul.

 
Det är i termer av IC tillverkning Si betyg mer poäng att GE

 
Och vad tycker du om att:

Arkiv> Recent advances in GaAs utrustning för användning vid höga temperaturer
http://www.edaboard.com/viewtopic.php?t=168513&highlight=advances gaas devices temperatures

Det är skrivet, att GaAs tekniken är mer tillförlitliga än Si ... men inte ännu, orsaka tekniska begränsningar (t.ex. problem med ohmsk kontakter ...).

Jag tänkte, att på grund av lägre läckströmmar är GaAs bättre.

 
Nej, jag tror GaAs är bättre jämfört med Si avseende läckströmmar, för i mikrovågsugn apparater, denna ström orsakar mycket buller och bara genom att byta från Si till GaAs du kan få nytta av mer än 6dB

 
Nyligen jag reda på, att yta ledningsförmåga termiskt aktiverade GaAs-substrat ökningar i fem tiopotenser (i jämförelse med ledningsförmåga vid ~ 23 ° C och 350 ° C).Thats the problem jag har letar efter.(kanske)

Jag har tunt motstånd på ytan av GaAs.Finns diffusion barriär av tenn mellan GaAs och tunn film resistor.Men vid temperaturer över ca 250 ° C motståndet snabbt minskar.

Vad är din åsikt?

 
Santoshalagawadi skrev:

Läckage ökar exponentiellt med tjockleken på isolerande regionen minskar.
Tunneling läckage kan också förekomma på halvledare korsningar mellan starkt dopade P-typ och N-typ semicondutors.
 
You must log in or register to reply here.

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top